Автоматическая оптическая инспекция формы пластин и фотошаблонных заготовок серии WafoM 40
Автоматическая оптическая инспекция формы пластин и фотошаблонных заготовок серии WafoM 40 может автоматически измерять толщину Wafer, шероховатость поверхности, микро-нанотрехмерную морфологию в одной измерительной системе. Спектральная конфокальная технология используется для измерения толщины кремниевых пластин, TTV, LTV, BOW, WARP, шероховатости линий и других параметров и одновременно для генерации диаграммы Mapping. Технология интерферометрии белого света используется для бесконтактного сканирования поверхности Wafer и одновременно для создания 3D хроматограммы поверхности, отображения 2D поперечного сечения и 3D стереоскопического цветового изображения, а также высокоэффективного анализа морфологии поверхности, ее шероховатости и соответствующих 2D и 3D параметров.
Модель продукции WD4100 WD4200
Размер кремниевой пластины 2”, 4”, 6”, 8”, 12”
Загрузочный стол кремниевой пластины Регулируемая вакуумная присоска загрузочного стола
Загрузка кремниевой пластины Ручная загрузка (настраиваемая автоматическая загрузка)
Ход рабочего стола XYZ 400 мм/400 мм/75 мм
Максимальная скорость перемещения 500 мм/с
Основа рабочего стола Мрамор
Стол виброизоляции Пассивная виброизоляция на воздушной подушке
Загрузка рабочего стола ≤10 кг
Габариты 2047×1543×2000 мм
Общий вес Около 2000 кг
Требования к подаче воздуха 0.6 МПа; 60 л/мин
Требования к температуре Температура 20°С±1°С/ч, влажность 30~80%
Требования к вибрации Вибрация <0.002 g, ниже 10 Гц
Система измерения толщины Система измерения толщины и угловатости
Измеряемый материал Арсенид галлия, нитрид галлия, фосфид галлия, германий, фосфид индия, ниобат лития, сапфир, кремний, карбид кремния, стекло и т. д.
Датчик измерения Высокоточный датчик спектрального смещения
Диапазон измерения 10 мкм~2000 мкм
Способ сканирования Сканирование Fullmap, метровое сканирование, свободное многоточечное сканирование
Точность измерения ±0.25 мкм
Повторяемость (σ) 0.2 мкм
Разрешение зонда 17 нм
Измеряемый параметр Толщина, TTV (общее изменение толщины), LTV, BOW, WARP, плоскостность, шероховатость линий
Система измерения морфологии Система измерения трехмерной микроморфологии
Принцип измерения — Интерференция белого света
Источник света — Белый свет LED
Интерференционный объектив — 10×(2.5×, 5×, 20×, 50×, доступно несколько вариантов)
Измерение поля обзора — 0.96 мм×0.96 мм
Вышка объектива — 3 ручных отверстия (5 электрических отверстий (опционально)
Регулировка горизонтального угла — ±2°
Диапазон сканирования направления Z — 10 мм
Разрешение направления Z — EVSI: 0.5нм; EPSI: 0.1нм
Боковое разрешение — 0.5~3.7 мкм
Скорость сканирования — 2.5~5.0 мкм/с
Измеримый коэффициент отражения образца — 0.05%~100%
Повторяемость RMS шероховатости — 0.005 нм
Измерение шага Точность — 0.3%
Повторяемость — 0.08%1σ
Измеряемый параметр — Микроморфология, шероховатость линии/ поверхности,
пространственная частота и т.д.
Более 300 видов параметров в трёх категориях
*1 Параметры шероховатости получены путем измерения параметра Sq кремниевой пластины Sa 0,2 нм в лабораторных условиях в соответствии с международным стандартом ISO 25178.
*2 Параметры высокой производительности шага получены путем измерения стандарта высоты шага 4,7 мкм в лабораторных условиях в соответствии со стандартом ISO 5436-1:2000.
Автоматическая оптическая инспекция формы пластин и фотошаблонных заготовок серии WafoM 40 широко используется в отраслях высокоточной обработки, таких как производство подложек, производство кремниевых пластин, контроль процесса герметизации, электронные стеклянные экраны 3C и прилагаемые к ним прецизионные детали, оптическая обработка, панели дисплеев, детали MEMS. Может измерять различные типы поверхности объектов: от гладких до шероховатых, с коэффициентом отражения от низкого до высокого, а также толщину, шероховатость, плоскостность, микрогеометрические контуры, кривизну деталей на уровне от нанометра до микрометра. Предоставляет более 300 видов 2D и 3D параметров в качестве критериев оценки в соответствии с четырьмя основными отечественными и зарубежными стандартами ISO/ASME/EUR/GBT.

Сфера применения
• Благодаря бесконтактному измерению осуществляется восстановление трехмерной морфологии верхней и нижней поверхностей кремниевой пластины. Мощное ПО для анализа измерений предоставляет стабильный расчет толщины и шероховатости кремниевой пластины, ее общее изменение по толщине (TTV). Обеспечивает действенную защиту целостности пленки или изображения кремниевой пластины.
• 3D-изображение поверхности кремниевой пластины после грубого и тонкого шлифования в процессе утончения Wafer. Используется числовое значение шероховатости Sa и стабильность числового значения многократных измерений для предоставления обратной связи о качестве обработки. Для утонченной кремниевой пластины, измеренной в условиях сильного шума в производственном цехе, шероховатость кремниевой пластины тонкого шлифования составляет около 5 нм. Повторяемость, рассчитанная на основе 25 данных измерений, составляет 0,046987 нм, стабильность измерений высокая.
Конструктор посадочных страниц © 2025